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研究者によるミニシーズ発信会「次世代パワーデバイスを用いたスイッチング電源のための低ノイズ化技術」
次世代型パワーデバイスであるSiC-MOSFETやGaN-HEMTは，低オン抵抗と高速スイッチング特性を兼ね備えており，スイッチング電源の小型化や高効率化に期待されています。一方で，高速スイッチングにより大きなスイッチングサージや誤動作が発生し，それに伴う損失増加・信頼性低下・EMC特性の悪化が課題となります。本発信会では，これら次世代型パワーデバイスを効果的に活用するための低ノイズ化技術について紹介します。
・次世代型パワーデバイスに興味のある企業
・スイッチング電源の開発に関わる企業
・スイッチング電源の開発に課題を抱えている企業等
上記に限らず興味があればぜひご参加ください！
◇日 時：令和７年１月30日（木）14:00-16:00
◇場 所：岡山大学津島キャンパス自然科学系総合棟6階
OI-startオープンラボ（岡山市北区津島中3‐1‐1）
◇主 催：岡山県・岡山県 企業と大学との共同研究センター
◇参加費：無料
◇定 員：8名（先着順）
14:00～14:05 開会・参加者自己紹介
14:05～14:55 研究者からのシーズ発信
14:55～15:05 休憩
15:05～16:00 フリーディスカッション
いずれかの方法でお申し込みください。
①「お申込フォーム」でのお申込み
②参加申込書をダウンロードいただき、E-Mail（kdc@optic.or.jp）
またはFAX（086-898-2822）にてお申込み
公益財団法人岡山県産業振興財団 ものづくり支援部
岡山県 企業と大学との共同研究センター（担当：大平）
TEL：086-898-2820 FAX：086-898-2822
E-mail：kdc@optic.or.jp
岡山県 企業と大学との共同研究センター
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| 申し込み方法 | 応募期間は終了しました。 |
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